IT之家 2 月 21 日新闻，半导体装备巨子泛林团体 Lam Research 美国加州外地时光 19 日发布正式推出寰球首型钼（Mo）原子层堆积（IT之家注：即 ALD）装备 ALTUS Halo，该装备已在逻辑半导体跟 3D NAND 范畴失掉晚期采取。▲ ALTUS Halo在近来 20 多年的芯片上金属布线元器件互联等半导体工艺中，钨（W）始终凭仗其杰出的沟槽添补才能起到相称主要的感化。然而跟着半导体系程的开展，钨电阻较高的优势逐渐浮现，此时在沟槽添补跟电阻两方面表示均优良的钼正成为布线工艺的新宠。而 ALTUS Halo 就是一台向半导体注入钼的装备。泛林团体高等副总裁兼寰球产物团体总司理 Sesha Varadarajan 表现：基于泛林深沉的金属化专业常识，ALTUS Halo 是 20 多年来原子层堆积范畴最严重的冲破：它将泛林的四站模块架构跟 ALD 技巧的新停顿联合在一同，为大量量出产供给了工程化的低电阻率钼堆积，这是新兴的、将来的芯片变更（包含千层 3D NAND、4F2 DRAM、进步 GAA 逻辑电路）的要害请求。美光担任 NAND 开辟的公司副总裁 Mark Kiehlbauch 则表现：钼金属化的集成使美光可能在最新一代 NAND 产物中率先推出业界当先的 I/O 带宽跟存储容量。泛林的 ALTUS Halo 装备使美光将钼投入量产成为可能。除 ALTUS Halo 外，泛林还同期推出了一款等离子体蚀刻装备 Akara，其采取固态等离子体源，天生的等离子体呼应速率晋升了 100 倍，支撑更年夜纵横比的超高精度蚀刻，以构成庞杂的 3D 构造。▲ Akara